MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
本儀器為測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管綜合參數(shù)的測(cè)試儀，可測(cè)Vgs（th）、Idss、Igss、Id（on）、BVgss、Rd、Gfs參數(shù)。本儀器是采用計(jì)算機(jī)控制的***化的測(cè)試儀器，具有測(cè)試速度快、操作靈活、使用方便特點(diǎn)，并能存儲(chǔ)測(cè)試條件，存儲(chǔ)、打印測(cè)試數(shù)據(jù)。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀參數(shù)：
量程范圍：0-50A            分辨率：0.1A     誤差≦±3%
量程范圍：10mΩ～10Ω分辨率：1mΩA 誤差≦±3%
量程范圍：0-30S            分辨率：0. 1S   誤差≦±3%
量程范圍：0-100nA       分辨率：1nA      誤差≦±3%
柵電壓：0-30V
量程范圍：0-10V           分辨率：0.01V   誤差≦±3%
量程范圍：0-50A           分辨率：0.5A     誤差≦±3%
柵電壓：0-30V           分辨率：0.01V   誤差≦±3%地